國研院今發(fā)表「積層型3D-IC」技術，可將訊號傳輸速度提升數(shù)百倍、耗能降低至少一半。預計今年便可運用在顯示器上，未來將陸續(xù)與國內記憶體、面板及晶圓代工產業(yè)合作，估計技轉金約需上億元，是國研院截至目前為止的最高技轉金額。

新世代要求多功能、可攜式智慧行動裝置，需要傳輸速度更快、更低耗能的晶片來處理，因此近年來積體電路（IC）制作漸由平面2DIC衍伸出立體結構的3DIC，藉由IC堆疊來縮短訊號傳輸距離。目前半導體廠制作3DIC主要是以「矽穿孔3D-IC技術」，將兩塊分別制作完成的IC晶片以垂直導線連接，距離大約50微米。

國研院奈米元件實驗室前瞻元件組組長謝嘉民，過去矽穿孔技術就像101只能住1樓和頂樓，且中間只有1臺電梯（垂直導線）連接，訊號傳輸速度慢，積層型3D-IC技術則如同一棟2層樓的房子，卻有多部電梯可同時上下有效提高訊號傳輸速度并減少耗能。

謝嘉民并指出，矽穿孔技術在加熱制作第2層時，可能會損壞到已經做好的第一層IC，但國研院開發(fā)出「奈米級雷射局部加熱法」及「奈米級超薄高品質矽薄膜技術」，可以在加熱第2層IC時不損及第1層，突破長久以來積層型3D-IC技術的瓶頸，并將兩層IC間距離縮短到0.3微米，是現(xiàn)有技術的150分之1。