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完全基于絕熱電路的靜態(tài)隨機(jī)存儲器設(shè)計(jì)

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2014-10-21     來源:[標(biāo)簽:出處]     作者:[標(biāo)簽:作者]     瀏覽次數(shù):124
核心提示:
摘  要:為了降低靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的功耗,提出了一種完全采用絕熱電路實(shí)現(xiàn)的WASRAM(Whole AdiabaticSRAM),WASRAM的譯碼部分、存儲單元、讀出放大等全部采用絕熱電路結(jié)構(gòu)。針對WASRAM建立了功耗分析模型。基于0.18μml.8VCMOS工藝,在不同頻率下針對不同存儲規(guī)模的SRAM進(jìn)行了功耗仿真、分析和比較。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明,WASRAM的低功耗效果十分明顯,與傳統(tǒng)CMOS電路實(shí)現(xiàn)的SRAM相比,在250MHz頻率下,WASRAM功耗降低了80%以上。
關(guān)鍵詞:SRAM;絕熱電路;功耗分析;低功耗

    絕熱(adiabatic)電路技術(shù)能夠顯著地降低電路的功耗(理論上功耗可降低為零),是低功耗電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)。在絕熱電路中,如果對溝道電阻消耗的能量采用絕熱處理,同時(shí)把儲存在電容上的電荷能量回收到電源實(shí)行再利用,就可以實(shí)現(xiàn)整個(gè)電路的低功耗設(shè)計(jì)。
    作為系統(tǒng)芯片的重要組成部分,SRAM的存儲規(guī)模不斷增加,導(dǎo)致了功耗也迅速增加,所以低功耗設(shè)計(jì)仍將是SRAM的主要研究發(fā)展方向。文獻(xiàn)表明采用絕熱電路使SRAM在讀寫數(shù)據(jù)階段節(jié)省至少50%以上的功耗。目前絕熱SRAM的設(shè)計(jì)主要分為以下兩類:一種是改進(jìn)存儲器SRAM的局部電路,如文的絕熱線驅(qū)動器,文的絕熱鎖存器/驅(qū)動器;另一種在多個(gè)部分采用了絕熱電路,但是工作頻率較低,如文為10 MHz,而文僅為5 MHz。為了更好地利用絕熱電路,本文提出了全部采用絕熱電路實(shí)現(xiàn)的靜態(tài)隨機(jī)存儲器(WASRAM)。
    WASRAM的譯碼部分、存儲單元、讀出放大等全部采用絕熱電路。本文還建立了WASRAM的功耗分析模型,進(jìn)行了功耗分析。

l WASRAM電路設(shè)計(jì)

1.1 WASRAM寫操作設(shè)計(jì)
   
為了實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)寫入操作,需要寫譯碼器選中存儲單元,再通過數(shù)據(jù)位線把數(shù)據(jù)送入存儲單元中。圖l給出了WASRAM實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)寫入操作的電路示意圖。

    WASRAM的譯碼器采用如圖l所示的高速絕熱電路結(jié)構(gòu)。由于PI管導(dǎo)通需要驅(qū)動字線等效電容,P1管的尺寸為8λ/1λ,其他的管子可以采用小尺寸設(shè)計(jì),λ為最小工藝尺寸。
    WASRAM采用的存儲單元電路與傳統(tǒng)的存儲單元相類似,如圖1所示。存儲單元中的電源是為絕熱電路設(shè)計(jì)的功率時(shí)鐘電源Cclk。如果要改寫單元中的數(shù)據(jù),在寫字線WWL達(dá)到高電平前要使Cclk下拉到低電平。WWL為高電平,使得在管子N4和N6導(dǎo)通時(shí),存儲單元中的P1、P2、N1、N2、N3、N5就構(gòu)成了絕熱電路結(jié)構(gòu)。通過位線WBL,和BWBL把數(shù)據(jù)寫入到存儲單元中。
    為了實(shí)現(xiàn)存儲單元需要的單元時(shí)鐘信號Cclk,本文提出了一種簡單高速的單元時(shí)鐘產(chǎn)生電路(見圖1)。當(dāng)寫使能信號WEN為低電平時(shí),電路沒有寫入操作,Cclk保持為高電平;當(dāng)需要寫入數(shù)據(jù)時(shí),信號WEN為高電平,根據(jù)寫地址信號選中某一單元的單元時(shí)鐘信號,使之下拉到低電平。圖2是完成數(shù)據(jù)寫入的時(shí)序仿真結(jié)果,寫入數(shù)據(jù)為“101010”,功率時(shí)鐘PCO的頻率為250MHz。

1.2 SRAM數(shù)據(jù)讀出設(shè)計(jì)
    讀譯碼器也采用高速絕熱電路結(jié)構(gòu),如圖3所示。由于P1管導(dǎo)通需要驅(qū)動字線等效電容,所以通常P1管的尺寸為8λ/1λ,其他的管子可以采用小尺寸設(shè)計(jì)。當(dāng)SRAM讀出數(shù)據(jù)時(shí),譯碼器選中陣列中的某一單元,讀字線RWL上升到高電平。MOS管N3和N4同時(shí)導(dǎo)通,如圖3所示。單元讀出門管N5、N6和讀出放大電路中的N1、N2和P1、P2構(gòu)成了絕熱電路結(jié)構(gòu),存儲單元中的數(shù)據(jù)通過位線和讀出放大電路送到了數(shù)據(jù)線“Data”和“Data-b”上。圖3c是完成數(shù)據(jù)讀出的時(shí)序仿真結(jié)果,讀出數(shù)據(jù)為“101010”,功率時(shí)鐘頻率為250 MHz。

1.3 實(shí)驗(yàn)與結(jié)果分析
    基于0.18μm 1.8 VCMOS工藝,對不同規(guī)模的SRAM在不同頻率下進(jìn)行了功耗仿真。圖4給出了傳統(tǒng)SRAM和WASRAM的平均功耗比較。傳統(tǒng)SRAM采用了低功耗的電流模式讀寫數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。表1對WASRAM與其他絕熱SRAM的性能進(jìn)行了比較。

    根據(jù)圖4和表1的分析,我們可以得到:

    結(jié)論l 本文絕熱SRAM比傳統(tǒng)SRAM的功耗降低了至少80%。
    結(jié)論2 本文SRAM比其他絕熱SRAM功耗降低程度較大,工作頻率更高。
    結(jié)論3 存儲規(guī)模變化對絕熱SRAM的功耗變化影響較小。

2 絕熱SRAM功耗分析
   
傳統(tǒng)SRAM功耗主要包括:字線功耗、位線功耗、讀出放大器功耗和譯碼器功耗等,其中字線功耗和位線功耗分別為:

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